探秘我国集成电路科技工作者早期的创业足迹

科技创新正成为许多人关注并为之实践的时代命题。在重庆永川，有这么一个载录科技创新典范的中国集成电路创业史陈列馆。

集成电路被誉为“现代工业的粮食”。一个集成电路创业史陈列馆建在重庆永川，彰显着它在中国集成电路发展史上的重要地位。

那么，重庆永川跟中国集成电路发展有何渊源？中国集成电路早期创业都经历了什么？笔者走进陈列馆，带你回望那一段艰苦卓绝的奋斗历史。

基础薄弱，国际封锁，第一只半导体锗合金晶体管破茧而出

新中国成立以前，我国电子工业极其薄弱，仅有十余家电子设备维修工厂。新中国成立后，虽然整顿扩建了一批老厂，并自主规划建设了一批骨干工厂，但西方发达国家对我国实行军事、经济和技术封锁，使当时中国科技发展环境十分恶劣，科技研发百废待兴。

1956年，中共中央召开知识分子问题会议，发出“向科学进军”的伟大号召，这也是新中国科学技术发展史上的重要里程碑。

据陈列馆里的资料显示，在周恩来总理的亲自主持下，我国第一个长期科学技术发展规划——《1956至1967年科学技术发展远景规划纲要》于1956年制定完成并颁布实施，其中把发展半导体技术列为我国国民经济建设重点项目、国家新技术四大紧急措施之一。由此，我国也正式拉开全面开展半导体科学应用研究的序幕，一支支科研劲旅参加奋战创业！

“在我国集成电路早期研究发展历史上，主要有三支队伍进行技术攻关，一支是中科院物理所、半导体所，一支是河北半导体研究所、四川固体电路研究所，一支是中科院冶金所等。”参与陈列馆筹建的王守祥同志介绍说。

1956年，国家第二机械工业部十局决定将华北无线电器材联合厂中心试验室，改为二机部第十一研究所（简称11所），并选派11所半导体研究室的科技人员宋秉治、常振华、邓先灿、谢国璋、顾泰等同志，与中科院物理所及全国多家院校的半导体学者、专家、有关科研人员组成协作组，在北京华北无线电元件研究所联合开展锗提纯、锗单晶拉制、锗合金管和晶体管电路等研究。

据了解，该协作组由王守武、武尔桢、吴锡九、成众志等同志领导，历时三个多月苦干，经过三十多次艰难探索与试验制作，终于在1956年11月成功研制出我国第一只半导体锗合金晶体管，开启了我国半导体工业的新纪元。

没有技术参照，一切从零起步，第一块锗晶体管和第一块硅晶体管微组装集成电路艰难面世

时间的指针转到1961年，这一年，既是收获之年，更是艰苦卓绝的奋斗之年。

1961年初，中国科学院物理所接到微型电路组件研制任务，这是当时我国第一个微型集成电路研究项目，主要用于计算机制造上。

由于该项目技术难度大，中国科学院决定由物理所固体电子学研究室和计算所半导体室联合研制，并成立了20多名年轻技术人员组成的研究组，由白元根任组长，沈士刚任副组长，吴锡九、黄敞任技术指导。

当时，我国正处于三年困难时期，科研环境和生活条件都非常艰难。但是在接到任务后，没有人叫一声苦，大家都以饱满的精神、战斗的姿态投入到工作中，攻克了一个又一个的技术难关。

根据黄敞和白元根同志的回忆材料，研究组一开始就遭遇两大难题：一是没有找到国外关于微型固体电路方面的文献、资料和样品。二是当时国内只能做出锗晶体管而不能做硅器件。此外，研究组人员都很年轻，科研经验不足，虽然有吴锡九、黄敞二位教授指导，但他们也没有做过这种项目，一切都是从零起步。

不过，困难并没有吓到他们。凭借着满腔热情和一定要攻克微小型化集成技术的决心，他们积极探索工艺路径，确定研制方案。经过近一年的艰苦奋战，各专题组分别完成了材料选择、元器件芯片制造、电路设计、组装及测试技术等工作；随后经过多次测试筛选基片后进行全加器电路组装互连，最终做出了两块合格的微组装集成电路。

这是我国自行研究成功的第一块锗器件微组装型集成电路，它所采用的技术方案及技术水平与1958年9月美国诞生的世界上第一块集成电路电路基本相同。特别值得提及的是，我国第一块锗器件微组装型集成电路比美国仅晚三年。

后来，还诞生了我国第一块硅器件微组装型集成电路。1961年，在中科院物理所工作的王守觉获悉美国发明硅平面器件与固体电路的信息，毅然决定终止正在进行并取得了一定结果的硅台面管研制工作，集中半导体研究室力量研发硅平面工艺，并于1963年底完成了五种硅平面器件（低反向电流二极管，PNPN高灵敏开关器件，高速开关晶体管和两种高频晶体管）的研制任务。